翔盈株式会社は2024年に設立され、プロジェクトの発起人は半導体ベンチャーキャピタル分野(GaN HEMT、窒化ガリウムHEMTなどのGaNパワートランジスタデバイス、および窒化ガリウムエピタキシャルウェーハ、窒化ガリウム応用技術)のリーダーです。当社は窒化ガリウムパワーデバイスとその応用に関する業界をリードする専門知識と知見を活かし、半導体素子・チップ製造プロセスの最適化、生産ライン立ち上げ支援、材料選定・品質管理体制の構築、外部委託先管理、技術仕様の策定など、設計から量産・販売までの全プロセスを技術面からコンサルティングする専門技術コンサルティング企業です。これにより、日本の第3世代半導体産業分野における発展を支援します。